এসিকে ডিসি করার যন্ত্র-

ইলেক্ট্রনিক্স (Electronics)

P টাইপ ও n টাইপ অধৃপরিবাহী

সিলিকনের বহির্খোলকে থাকে চারটি ইলেকট্রন যা যোজন ইলেক্ট্রন রূপে কাজ করে। সিলিকনের সবচেয়ে স্থিত গঠনের জন্য এর চারটি ইলেক্ট্রন লাভ করা অর্থাৎ ভাগাভাগি বা শেয়ার করার প্রবণতা থাকে। বিশুদ্ধ সিলিকন পরমাণুর বহিঃস্থ যোজন ইলেকট্রন সহযোগী অনুবন্ধের মাধ্যমে সংযুক্ত হয়, ফলে সিলিকনে কোনো মুক্ত ইলেকট্রন থাকে না। বিশুদ্ধ সিলিকন তাই উত্তম অন্তরক। সামান্য তাপমাত্রা বৃদ্ধি করলে সিলিকনের কিছু কিছু অনুবন্ধ ভেঙ্গে যায় এবং ইলেকট্রন চলাচলের জন্য মুক্ত হতে থাকে, ফলে তড়িৎ প্রবাহের সৃষ্টি হয়। সিলিকনকে আরেক ভাবে তড়িৎ পরিবাহী করা যায়। এই কাজটি করা হয় বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে খুব সামান্য ভেজাল নিয়ন্ত্রিতভাবে মিশিয়ে। একে বলা হয় ডোপায়ন (Doping)। ডোপিত মৌলের প্রকৃতি থেকে নির্ধারিত হয় সিলিকন p-টাইপ (ধনাত্মক টাইপ) হবে না n-টাইপ (ঋণাত্মক টাইপ) হবে। যে সব মৌলের (যেমন: অ্যালুমিনিয়াম, বোরন, গ্যালিয়াম বা ইনডিয়াম) তিনটি যোজন ইলেকট্রন থাকে, তাদের ভেজাল হিসেবে ব্যবহার করা হলে সিলিকন বা জার্মেনিয়াম p-টাইপ বস্তুতে p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে পরিণত হয়। যে সকল মৌলের (যেমন; ফসফরাস, আর্সেনিক বা অ্যান্টিমনি) বহির্খোলকে পাঁচটি ইলেকট্রন থাকে, তাদের ভেজাল হিসেবে ব্যবহার করা হলে সিলিকন বা জার্মেনিয়াম n-টাইপ বস্তুতে বা n-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে পরিণত হয়।